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    • 漏源（yuán）电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    115

    导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    150

    最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

    24

    通（tōng）道极性：

    N沟道

    封（fēng）装/温度(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描述：

    600V,150mΩ,24A,N沟（gōu）道基于超级（jí）结技术的功率MOSFET



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