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  • 漏源电压BV DSS (V)(Min.):

    550

    导(dǎo)通电(diàn)阻(zǔ)rDS(on)(mΩ)(Typ.):

    110

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):

    140

    最大漏极电流Id(on)(A):

    25

    通道极性:

    N沟道

    封装/温度(℃):

    TO-220F-3L/-55~125

    描述(shù):

    550V,140mΩ,25A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET


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