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漏源电压BV DSS (V)(Min.): | 550 |
导(dǎo)通电(diàn)阻(zǔ)rDS(on)(mΩ)(Typ.): | 110 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.): | 140 |
最大漏极电流Id(on)(A): | 25 |
通道极性: | N沟道 |
封装/温度(℃): | TO-220F-3L/-55~125 |
描述(shù): | 550V,140mΩ,25A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET |
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