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    • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    65

    导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    70

    最大（dà）漏极电流Id(on)(A)：

    47

    通道极（jí）性：

    N沟道

    封装/温度(℃)：

    TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

    描（miáo）述：

    600V,70mΩ,47A,N沟道基于超（chāo）级结技术的（de）功（gōng）率MOSFET



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