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    • 漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    480

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    600

    最（zuì）大漏极电流Id(on)(A)：

    7

    通道极性（xìng）：

    N沟（gōu）道

    封（fēng）装/温度（dù）(℃)：

    TO-251-3L(IPAK)/-55~125

    描述：

    650V,600mΩ,7A,N沟道基于（yú）超级结技（jì）术的功率MOSFET



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