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    • 漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

    550

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    530

    导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    580

    最大漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

    8

    通道极性（xìng）：

    N沟道

    封（fēng）装/温（wēn）度(℃)：

    TO-252-2L/-55~125

    描（miáo）述（shù）：

    550V,580mΩ,8A,N沟道基于（yú）超级结技术的（de）功率MOSFET


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