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    • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    110

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    130

    最（zuì）大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

    30

    通道极性（xìng）：

    N沟（gōu）道

    封装/温（wēn）度(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描述：

    600V,130mΩ,30A,N沟道（dào）基于超级结技术的功率MOSFET


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