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    • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    250

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    280

    最大（dà）漏极电流Id(on)(A)：

    15

    通道极性：

    N沟道

    封（fēng）装/温度(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描（miáo）述：

    600V,280mΩ,15A,N沟道基于（yú）超（chāo）级结技术（shù）的功率MOSFET


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