开云



    • 漏（lòu）源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

    700

    导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    900

    导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    1100

    最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

    5

    通（tōng）道极性：

    N沟（gōu）道

    封（fēng）装（zhuāng）/温度（dù）(℃)：

    TO-251-3L(IPAK)/-55~125

    描述：

    700V,1100mΩ,5A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET


    开云

    开云