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产品(pǐn)中心(xīn)
漏源电压(yā)BV DSS (V)(Min.): | 650 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.): | 480 |
导通(tōng)电阻rDS(on)(mΩ)(Max.): | 600 |
最大(dà)漏极电流Id(on)(A): | 7 |
通(tōng)道极性: | N沟道 |
封装/温(wēn)度(℃): | PDFN5*6/-55~125 |
描述: | 650V,600mΩ,7A,N沟道(dào)基于超级结技术(shù)的功(gōng)率(lǜ)MOSFET |
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