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    • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电（diàn）阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    250

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    280

    最（zuì）大漏极电流Id(on)(A)：

    15

    驱动电压(V)：

    10

    通道（dào）极性：

    N沟道

    封（fēng）装/温度（dù）(℃)：

    TO-220-3L/-55~125

    描述：

    650V,280mΩ,15A,N沟（gōu）道基于超（chāo）级结技术的功率MOSFET


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