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    • 漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

    550

    导（dǎo）通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    170

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    190

    最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

    20

    通道极性：

    N沟道

    封装/温度(℃)：

    TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

    描述（shù）：

    550V,190mΩ,20A,N沟道基于超（chāo）级（jí）结技术的功（gōng）率MOSFET



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