
PRODUCT CENTER
产品中心
漏(lòu)源(yuán)电压(yā)BV DSS (V)(Min.): | 650 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.): | 177 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.): | 190 |
最大漏极电流Id(on)(A): | 20 |
通道极(jí)性: | N沟道 |
封装/温度(℃): | TO-252-2L(DPAK)/-55~125 |
描述: | 650V,190mΩ,20A,N沟(gōu)道基于超(chāo)级(jí)结技术的功率MOSFET |
-
产品中心
-
应用方案
-
技术支(zhī)持(chí)
-
新闻资讯(xùn)
-
关于我(wǒ)们

添加官(guān)方客(kè)服 快速申请样品

关注官方微(wēi)信公众号(hào) 随(suí)时掌握(wò)最新(xīn)动态
版权所有©2021 武(wǔ)汉开云和芯源半导体有限公司
鄂公网安备 42018502005668号 | 鄂ICP备2022001247号

-
服务热(rè)线
全国咨询电(diàn)话:
18002584030(微信同号)
商务合作:
胡女(nǚ)士:13689515916(微(wēi)信同(tóng)号(hào)) janney@icchain.com
-
微信咨(zī)询(xún)
-
样(yàng)品申请