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  • 漏(lòu)源(yuán)电压(yā)BV DSS (V)(Min.):

    650

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):

    177

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):

    190

    最大漏极电流Id(on)(A):

    20

    通道极(jí)性:

    N沟道

    封装/温度(℃):

    TO-252-2L(DPAK)/-55~125

    描述:

    650V,190mΩ,20A,N沟(gōu)道基于超(chāo)级(jí)结技术的功率MOSFET


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