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    • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    480

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    600

    最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

    7

    通道极性：

    N沟道

    封装/温度（dù）(℃)：

    TO-252-2L(DPAK)/-55~125

    描述：

    650V,600mΩ,5A,N沟道（dào）基于（yú）超级结技术的（de）功率MOSFET



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