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    • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    300

    导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    360

    最大漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

    11

    通道（dào）极性：

    N沟道

    封装/温（wēn）度(℃)：

    TO-263-2L/-55~125

    描（miáo）述：

    650V,360mΩ,11A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET


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