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    • 漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

    550

    导（dǎo）通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    170

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    190

    最大漏极电流Id(on)(A)：

    20

    通道极（jí）性：

    N沟道

    封装/温度(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描述（shù）：

    550V,190mΩ,20A,N沟（gōu）道基于超级结技术的功率MOSFET


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